美国芯片法案“护栏规则”公布：限制相关厂商扩大在华制造能力！

  近日，美国商务部（BIS）正式公布了实施《科学与芯片法案》（以下简称“芯片法案”）配套的巨额补贴发放的“国家安全护栏”的最终规则。该规则详细阐述了法规的两个核心条款：第一，禁止“芯片法案”资金接受者在10年内扩大在外国关注的材料半导体制造能力；其次，限制补贴接受者与相关外国实体进行某些联合研究或技术许可工作。

  美国商务部芯片计划办公室（CHIPS Program Office）称，该规则将有利于确保“芯片法案”投资与盟友和合作伙伴协调增强全球供应链的弹性。“芯片法案”是拜登总统投资美国议程的一部分，旨在释放制造业和创新热潮、提高美国竞争力并加强经济和国家安全。

  美国商务部芯片计划办公室指出，这一最终规则是在仔细考虑针对2023 年 3 月发布的拟议规则而提交的评论后制定的。该部门在制定本规则时，审查并吸收了国内外半导体行业、学术界、劳工组织、行业协会等利益相关者的建议。该规则提供了适用于“芯片法案”激励计划的国家安全措施的细节和定义，包括限制资金接受者在相关国家扩大半导体制造。

  “通过《芯片与科学法案》，拜登-哈里斯政府的第一个任务之一是扩大美国以及我们的盟友和合作伙伴的技术领头羊。这些护栏将保护我们的国家安全，并帮助美国在未来几十年保持领头羊。”美国商务部长吉娜·雷蒙多 (Gina Raimondo)表示。“美国芯片从根本上来说是一项国家安全倡议，这些护栏将有利于确保接受美国政府资金的公司不会损害我们的国家安全，因为我们将继续与我们的盟友和合作伙伴协调，以加强全球供应链并增强我们的集体安全。”

  禁止“芯片法案”激励资金的接受者使用该资金在美国境外建造、修改或改进半导体设施；限制“芯片法案”激励资金的接受者在奖励之日起 10 年内投资于所关注的外国国家的大多数半导体制造业；和，限制“芯片法案”激励资金的接受者与涉及引起国家安全问题的技术或产品相关的外国实体参与某些联合研究或技术许可工作。

  制定标准限制先进设施在国外的关注国家扩张：该法规禁止自授予之日起10年内在相关国家对尖端和先进设施的半导体制造能力进行实质性扩张。除了前端和后端工艺之外，该规则还明确晶圆生产也包含在半导体制造的定义中。最终规则将半导体制造能力的扩大与洁净室或其他物理空间的增加联系在一起，并将材料扩张定义为将设施的生产能力提高5%以上。该阈值旨在捕获扩大制造能力的适度交易，但允许资金接受者通过正常的业务过程设备升级和效率提高来维护其现有设施。

  限制在受关注的外国扩建旧设施：该法规限制在受关注的外国扩建和新建旧设施。该规则提供了有关此限制的详情信息，禁止接收者添加新的洁净室空间或生产线，因此导致设施的生产能力扩大超过 10%。该规则为计划扩大旧芯片设施的接收者建立了一个通知流程，以便商务部可以确认是否遵守国家安全护栏。

  将半导体列为对国家安全至关重要的半导体：虽然该法规允许相关公司在有限的情况下在受关注的外国国家扩大传统芯片（成熟制程芯片）的生产，但最新的规则将一系列半导体列为对国家安全至关重要的半导体，从而使它们受到更严格的限制。涵盖了具有对美国国家安全需求至关重要的独特特性的芯片，包括用于量子计算、辐射密集环境和其他专业军事能力的当前一代和成熟节点芯片。该半导体芯片清单是与国防部和美国情报界协商制定的。

  与外国相关实体进行联合研究和技术许可工作的详细限制：该法规限制所涵盖的实体与涉及引起国家安全问题的技术或产品相关的外国实体进行联合研究或技术许可。受关注的外国实体包括由受关注国家拥有或控制的实体、工业与安全局 (BIS) 实体清单和财政部中国军工综合体公司 (NS-CMIC) 清单上的实体，以及《外国实体清单》中概述的其他实体。法令。这一限制不适用于现有业务所必需且不会威胁国家安全的几种类型的活动，例如与国际标准相关的活动、涉及专利许可的活动以及使资金接受者能利用铸造和包装服务的活动。

  美国最终公布的关于“芯片法案”补贴申请的最终“护栏条款”与之前公布的基本一致，其最大的目的是限制在美国投资的并申请获得美国“芯片法案”补贴的半导体制造企业同时在包括中国大陆等受关注国家扩大半导体投资。其中，对于先进制程的投资，限制期限是10年，产能扩大规模限制在5%以内。这也代表着，三星、SK海力士、台积电等晶圆制造商未来十年内将无法在中国大陆有效扩大对于先进制程的投资。虽能有限的继续投资成熟制程（限制比之前预期的小了一些），但是随技术的持续推进及市场之间的竞争的加剧，原有的“先进”制程将会成为落后的“成熟制程”，因此如果原有的生产设施长期没有办法进行技术升级，其所生产出的产品竞争力必将持续下滑。同样，由于半导体制造业具有较强的规模效益，如果原有的生产设施无法持续扩大产能，其所能为公司能够带来的经济效应也将持续下滑。这些都将会导致相关外资半导体制造商在国内投资持续萎缩的同时，其生产设施的价值及重要性将会持续下滑。

  目前三星在西安的两座3D NAND工厂，投片量占该公司 NAND 闪存总产能的 42.3%，全球产能占比也高达 15.3%。SK海力士同样也有约50%的DRAM产能在中国大陆。相比之下，台积电在中国大陆的产能占比较低，远低于10%。其中，三星目前正在美国德克萨斯州泰勒市投资170亿美元建造一座4nm晶圆厂，并有申请美国方面的补贴。而SK海力士目前尚未在美国投资建设半导体晶圆厂。因此，预计美国的“护栏”规则预计将会对于三星将造成更大影响。

  但需要指出的是，除了该“护栏条款”之外，美国的对华半导体禁令还限制了相关半导体制造设备的对华出口，虽然此前三星、SK海力士、台积电在华晶圆厂都获得了1年的豁免期，但是该期限即将到期，美国尚未对其延长豁免，即便后续得以延长，那么会延长多久依然是个问题。这将是悬在这些厂商头上的达摩克利斯之剑，因为如果没有办法获得相关的半导体制造设备，他们的在华晶圆厂运营可能很快将会陷入停滞。